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T2563N80TOHXPSA1

T2563N80TOHXPSA1

Nur als Referenz

Teilenummer T2563N80TOHXPSA1
PNEDA Teilenummer T2563N80TOHXPSA1
Beschreibung SCR MODULE 3600A DO200AE
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 6.678
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 17 - Jan 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

T2563N80TOHXPSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerT2563N80TOHXPSA1
KategorieHalbleiterThyristorenThyristoren - SCRs - Module

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T2563N80TOHXPSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
StrukturSingle
Anzahl der SCRs, Dioden1 SCR
Spannung - Aus Zustand-
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)3330A
Current - On State (It (RMS)) (max.)3600A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)-
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)-
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)93000A @ 50Hz
Current - Hold (Ih) (Max)100mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 120°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallDO-200AE

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

1.2kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

140A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

310A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

4500A, 4712A

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

INT-A-PAK (3 + 2)

C781PN

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

1.8kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

2500A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

3925A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

4.2V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

250mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

41500A, 45000A

Current - Hold (Ih) (Max)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

TO-200AF

MSFC60-12

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

1.2kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

60A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

-

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

3V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

1500A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

250mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Hersteller

IXYS

Serie

-

Struktur

Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1)

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs, 2 Diodes

Spannung - Aus Zustand

1.4kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

53A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

-

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

1.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

100mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

550A, 600A

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

FO-T-A

VS-VSKT170-08PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Series Connection - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

800V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

170A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

377A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

3V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

200mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

5100A, 5350A

Current - Hold (Ih) (Max)

500mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 130°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

MAGN-A-PAK

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