SUP60N02-4M5P-E3
Nur als Referenz
| Teilenummer | SUP60N02-4M5P-E3 |
| PNEDA Teilenummer | SUP60N02-4M5P-E3 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 20V 60A TO220AB |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.580 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SUP60N02-4M5P-E3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SUP60N02-4M5P-E3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
SUP60N02-4M5P-E3, SUP60N02-4M5P-E3 Datenblatt
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SUP60N02-4M5P-E3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 60A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5950pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 3.75W (Ta), 120W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
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