STWA75N60M6
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| Teilenummer | STWA75N60M6 |
| PNEDA Teilenummer | STWA75N60M6 |
| Beschreibung | N-CHANNEL 600 V 32 MOHM TYP. 72 |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.712 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STWA75N60M6 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STWA75N60M6 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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STWA75N60M6 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | MDmesh™ M6 |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 72A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 36A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.75V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 106nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4850pF @ 100V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 446W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 Long Leads |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie UltraFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7.4A (Ta), 22A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 7.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2680pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 78W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-MLP (5x6), Power56 Paket / Fall 8-PowerWDFN |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 3.7V Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 1.5A, 3.7V Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 8V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 6V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 900mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8) Paket / Fall 4-XFBGA |
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