Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

STW70N60M2

STW70N60M2

Nur als Referenz

Teilenummer STW70N60M2
PNEDA Teilenummer STW70N60M2
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 68A TO247
Hersteller STMicroelectronics
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 10.572
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 23 - Dez 28 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STW70N60M2 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTW70N60M2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STW70N60M2, STW70N60M2 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 1.022,07 KB)
PDFSTW70N60M2-4 Datenblatt Cover
STW70N60M2-4 Datenblatt Seite 2 STW70N60M2-4 Datenblatt Seite 3 STW70N60M2-4 Datenblatt Seite 4 STW70N60M2-4 Datenblatt Seite 5 STW70N60M2-4 Datenblatt Seite 6 STW70N60M2-4 Datenblatt Seite 7 STW70N60M2-4 Datenblatt Seite 8 STW70N60M2-4 Datenblatt Seite 9 STW70N60M2-4 Datenblatt Seite 10 STW70N60M2-4 Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • STW70N60M2 Datasheet
  • where to find STW70N60M2
  • STMicroelectronics

  • STMicroelectronics STW70N60M2
  • STW70N60M2 PDF Datasheet
  • STW70N60M2 Stock

  • STW70N60M2 Pinout
  • Datasheet STW70N60M2
  • STW70N60M2 Supplier

  • STMicroelectronics Distributor
  • STW70N60M2 Price
  • STW70N60M2 Distributor

STW70N60M2 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieMDmesh™ II Plus
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.68A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 34A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs118nC @ 10V
Vgs (Max)±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds5200pF @ 100V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)450W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-247
Paket / FallTO-247-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

RW1C015UNT2R

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.8nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

110pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

400mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-WEMT

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

SIR616DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

ThunderFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20.2A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

7.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 7.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1450pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

52W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8

IPP100N12S305AKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

IRFP4410ZPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

97A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 58A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

120nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4820pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

230W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

Paket / Fall

TO-247-3

CSD18511Q5A

Texas Instruments

Hersteller

Serie

NexFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

159A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5mOhm @ 24A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.45V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5850pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

104W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-VSONP (5x6)

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Kürzlich verkauft

ADM7154ACPZ-3.3-R7

ADM7154ACPZ-3.3-R7

Analog Devices

IC REG LINEAR 3.3V 600MA 8LFCSP

NTCS0603E3103FMT

NTCS0603E3103FMT

Vishay BC Components

THERMISTOR NTC 10KOHM 3610K 0603

T491X227K016AT

T491X227K016AT

KEMET

CAP TANT 220UF 10% 16V 2917

VLP8040T-6R8M

VLP8040T-6R8M

TDK

FIXED IND 6.8UH 3.6A 32 MOHM SMD

CM453232-1R5KL

CM453232-1R5KL

Bourns

FIXED IND 1.5UH 410MA 600 MOHM

AT25640AN-10SU-2.7

AT25640AN-10SU-2.7

Microchip Technology

IC EEPROM 64K SPI 20MHZ 8SOIC

SI7421DN-T1-E3

SI7421DN-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 6.4A 1212-8

SP6205EM5-L-3-0

SP6205EM5-L-3-0

MaxLinear, Inc.

IC REG LINEAR 3V 500MA SOT23-5

JS28F128J3D75A

JS28F128J3D75A

Micron Technology Inc.

IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP

CY8C5868AXI-LP035

CY8C5868AXI-LP035

Cypress Semiconductor

IC MCU 32BIT 256KB FLASH 100TQFP

XC7VX330T-2FFG1761I

XC7VX330T-2FFG1761I

Xilinx

IC FPGA 700 I/O 1761FCBGA

MAX15006AATT/V+T

MAX15006AATT/V+T

Maxim Integrated

IC REG LINEAR 3.3V 50MA 6TDFN