STW58N65DM2AG
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| Teilenummer | STW58N65DM2AG |
| PNEDA Teilenummer | STW58N65DM2AG |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 48A |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
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| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STW58N65DM2AG Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STW58N65DM2AG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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STW58N65DM2AG Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 48A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 24A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 88nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4100pF @ 100V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 360W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
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