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STW3N150

STW3N150

Nur als Referenz

Teilenummer STW3N150
PNEDA Teilenummer STW3N150
Beschreibung MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-247
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 8.928
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STW3N150 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTW3N150
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STW3N150, STW3N150 Datenblatt (Total Pages: 23, Größe: 1.056,73 KB)
PDFSTW3N150 Datenblatt Cover
STW3N150 Datenblatt Seite 2 STW3N150 Datenblatt Seite 3 STW3N150 Datenblatt Seite 4 STW3N150 Datenblatt Seite 5 STW3N150 Datenblatt Seite 6 STW3N150 Datenblatt Seite 7 STW3N150 Datenblatt Seite 8 STW3N150 Datenblatt Seite 9 STW3N150 Datenblatt Seite 10 STW3N150 Datenblatt Seite 11

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STW3N150 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SeriePowerMESH™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)1500V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs9Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29.3nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds939pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)140W (Tc)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-247-3
Paket / FallTO-247-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

170A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.4mOhm @ 85A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

190nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

13500pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

390W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-227B

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

FQB47P06TM-AM002

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

47A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26mOhm @ 23.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3600pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.75W (Ta), 160W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D²PAK (TO-263AB)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FDPF20N50

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

UniFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

230mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

59.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3120pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

38.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220F

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

BSC014N03LSGATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

34A (Ta), 100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

131nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10000pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 139W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TDSON-8-1

Paket / Fall

8-PowerTDFN

IPA60R120C7XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ C7

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 390µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 400V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

32W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220 Full Pack

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Kürzlich verkauft

MMBD7000-7-F

MMBD7000-7-F

Diodes Incorporated

DIODE ARRAY GP 75V 300MA SOT23-3

SDF DF128S

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Cantherm

TCO 250VAC 10A 128C(262F) AXIAL

PIC18F65J15-I/PT

PIC18F65J15-I/PT

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 48KB FLASH 64TQFP

LT1084IT#PBF

LT1084IT#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR POS ADJ 5A TO220-3

EKXG401ELL820MM25S

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United Chemi-Con

CAP ALUM 82UF 20% 400V RADIAL

DS1307ZN+T&R

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Maxim Integrated

IC RTC CLK/CALENDAR I2C 8-SOIC

MCP73833-FCI/UN

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IC LI-ION/LI-POLY CTRLR 10MSOP

MMBT3904-7-F

MMBT3904-7-F

Diodes Incorporated

TRANS NPN 40V 0.2A SMD SOT23-3

BYV27-100-TR

BYV27-100-TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE AVALANCHE 100V 2A SOD57

LT1963AEST-2.5#PBF

LT1963AEST-2.5#PBF

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IC REG LINEAR 2.5V 1.5A SOT223-3

MLX90614ESF-BCC-000-SP

MLX90614ESF-BCC-000-SP

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LTC4416IMS-1#PBF

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IC OR CTRLR SRC SELECT 10MSOP