Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

STW18NM60ND

STW18NM60ND

Nur als Referenz

Teilenummer STW18NM60ND
PNEDA Teilenummer STW18NM60ND
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 13A TO-247
Hersteller STMicroelectronics
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.140
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 18 - Apr 23 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STW18NM60ND Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTW18NM60ND
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • STW18NM60ND Datasheet
  • where to find STW18NM60ND
  • STMicroelectronics

  • STMicroelectronics STW18NM60ND
  • STW18NM60ND PDF Datasheet
  • STW18NM60ND Stock

  • STW18NM60ND Pinout
  • Datasheet STW18NM60ND
  • STW18NM60ND Supplier

  • STMicroelectronics Distributor
  • STW18NM60ND Price
  • STW18NM60ND Distributor

STW18NM60ND Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieFDmesh™ II
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.13A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs290mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34nC @ 10V
Vgs (Max)±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1030pF @ 50V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)110W (Tc)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-247
Paket / FallTO-247-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IXFR90N30

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

300V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

75A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

33mOhm @ 45A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

360nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10000pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

417W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

Paket / Fall

ISOPLUS247™

RTR011P02TL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.1A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TSMT3

Paket / Fall

SC-96

IRFBA1404P

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

206A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.7mOhm @ 95A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

200nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7360pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

SUPER-220™ (TO-273AA)

Paket / Fall

TO-273AA

NTD3055-150-1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

280pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.5W (Ta), 28.8W (Tj)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I-PAK

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

SCH1331-TL-W

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

84mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.6nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

405pF @ 6V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-563/SCH6

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Kürzlich verkauft

V5.5MLA0603NH

V5.5MLA0603NH

Littelfuse

VARISTOR 8.2V 30A 0603

NP5Q128A13ESFC0E

NP5Q128A13ESFC0E

Micron Technology Inc.

IC PCM 128M SPI 66MHZ 16SO W

SMBJ5.0A-TR

SMBJ5.0A-TR

STMicroelectronics

TVS DIODE 5V 13.4V SMB

MAX1853EXT

MAX1853EXT

Maxim Integrated

IC REG CHARGE PUMP INV SC70-6

MIC2026-1YM

MIC2026-1YM

Microchip Technology

IC PW DIST SW DUAL 8SOIC

SI2300DS-T1-GE3

SI2300DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23

74HC04D

74HC04D

Toshiba Semiconductor and Storage

IC INVERTER 6CH 6-INP 14SOIC

ABM8-25.000MHZ-D2-T

ABM8-25.000MHZ-D2-T

Abracon

CRYSTAL 25.000MHZ 18PF SMD

HDT0001

HDT0001

C&K

SWITCH DETECTOR SPST-NO 1MA 5V

2843010402

2843010402

Fair-Rite Products

FERRITE CORE MULTI-APERTURE

H1102NLT

H1102NLT

Pulse Electronics Network

XFRMR MAGNETIC 1PORT 1:1 10/100

PIC18LF1320-I/P

PIC18LF1320-I/P

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 8KB FLASH 18DIP