Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

STW13N80K5

STW13N80K5

Nur als Referenz

Teilenummer STW13N80K5
PNEDA Teilenummer STW13N80K5
Beschreibung MOSFET N-CH 800V 12A TO-247
Hersteller STMicroelectronics
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 13.008
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 13 - Jan 18 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STW13N80K5 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTW13N80K5
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STW13N80K5, STW13N80K5 Datenblatt (Total Pages: 23, Größe: 1.203,7 KB)
PDFSTB13N80K5 Datenblatt Cover
STB13N80K5 Datenblatt Seite 2 STB13N80K5 Datenblatt Seite 3 STB13N80K5 Datenblatt Seite 4 STB13N80K5 Datenblatt Seite 5 STB13N80K5 Datenblatt Seite 6 STB13N80K5 Datenblatt Seite 7 STB13N80K5 Datenblatt Seite 8 STB13N80K5 Datenblatt Seite 9 STB13N80K5 Datenblatt Seite 10 STB13N80K5 Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • STW13N80K5 Datasheet
  • where to find STW13N80K5
  • STMicroelectronics

  • STMicroelectronics STW13N80K5
  • STW13N80K5 PDF Datasheet
  • STW13N80K5 Stock

  • STW13N80K5 Pinout
  • Datasheet STW13N80K5
  • STW13N80K5 Supplier

  • STMicroelectronics Distributor
  • STW13N80K5 Price
  • STW13N80K5 Distributor

STW13N80K5 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieSuperMESH5™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)800V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs450mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds870pF @ 100V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)190W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-247
Paket / FallTO-247-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SI4418DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.3A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.5W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

DMN10H220LK3-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

IPI60R299CPXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

299mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 440µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

96W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO262-3

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

PMN45EN,135

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.2A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.1nC @ 4.5V

Vgs (Max)

20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

495pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.75W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

Paket / Fall

SC-74, SOT-457

BSP92P E6327

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

260mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.8V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12Ohm @ 260mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 130µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.4nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

104pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.8W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-SOT223-4

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Kürzlich verkauft

ESDALC5-1BM2

ESDALC5-1BM2

STMicroelectronics

TVS DIODE 5V SOD882

LT1783CS5#TRMPBF

LT1783CS5#TRMPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC OPAMP GP 1 CIRCUIT TSOT23-5

BNX022-01L

BNX022-01L

Murata

FILTER LC 1UF SMD

PI3USB30532ZLE

PI3USB30532ZLE

Diodes Incorporated

IC MUX/DEMUX USB 3.0 40TQFN

BC846B

BC846B

ON Semiconductor

TRANS NPN 65V 0.1A SOT-23

MC14066BDR2G

MC14066BDR2G

ON Semiconductor

IC MULTIPLEXER QUAD 4X1 14SOIC

744842565

744842565

Wurth Electronics

COMMON MODE CHOKE 65UH 5A 2LN TH

AT93C57W-10SC

AT93C57W-10SC

Microchip Technology

IC EEPROM 2K SPI 2MHZ 8SOIC

DMG4468LFG-7

DMG4468LFG-7

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 30V 7.62A DFN3030-8

IS62WV51216BLL-55TLI

IS62WV51216BLL-55TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

MPZ1608S221ATA00

MPZ1608S221ATA00

TDK

FERRITE BEAD 220 OHM 0603 1LN

SMCJ24CAHE3/57T

SMCJ24CAHE3/57T

Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 24V 38.9V DO214AB