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STW10N95K5

STW10N95K5

Nur als Referenz

Teilenummer STW10N95K5
PNEDA Teilenummer STW10N95K5
Beschreibung MOSFET N-CH 950V 8A TO-247
Hersteller STMicroelectronics
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STW10N95K5 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTW10N95K5
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STW10N95K5, STW10N95K5 Datenblatt (Total Pages: 22, Größe: 1.328,61 KB)
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STW10N95K5 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieSuperMESH5™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)950V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs800mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds630pF @ 100V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)130W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-247
Paket / FallTO-247-3

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Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.3A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

88mOhm @ 1.2A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 5V

Vgs (Max)

12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

350mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23F

Paket / Fall

SOT-23-3 Flat Leads

BSS225H6327XTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

90mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45Ohm @ 90mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 94µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.8nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

131pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-SOT89

Paket / Fall

TO-243AA

IRF7707GTRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

47nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2361pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.5W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

IRLMS1503TR

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.2A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.6nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.7W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

68nC @ 10V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3944pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.2W (Ta), 100W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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