Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

STV160NF03LT4

STV160NF03LT4

Nur als Referenz

Teilenummer STV160NF03LT4
PNEDA Teilenummer STV160NF03LT4
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10
Hersteller STMicroelectronics
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 6.570
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 16 - Feb 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STV160NF03LT4 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTV160NF03LT4
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STV160NF03LT4, STV160NF03LT4 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 537,8 KB)
PDFSTV160NF03LT4 Datenblatt Cover
STV160NF03LT4 Datenblatt Seite 2 STV160NF03LT4 Datenblatt Seite 3 STV160NF03LT4 Datenblatt Seite 4 STV160NF03LT4 Datenblatt Seite 5 STV160NF03LT4 Datenblatt Seite 6 STV160NF03LT4 Datenblatt Seite 7 STV160NF03LT4 Datenblatt Seite 8 STV160NF03LT4 Datenblatt Seite 9

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • STV160NF03LT4 Datasheet
  • where to find STV160NF03LT4
  • STMicroelectronics

  • STMicroelectronics STV160NF03LT4
  • STV160NF03LT4 PDF Datasheet
  • STV160NF03LT4 Stock

  • STV160NF03LT4 Pinout
  • Datasheet STV160NF03LT4
  • STV160NF03LT4 Supplier

  • STMicroelectronics Distributor
  • STV160NF03LT4 Price
  • STV160NF03LT4 Distributor

STV160NF03LT4 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieSTripFET™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.160A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.8mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs140nC @ 10V
Vgs (Max)±15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds4700pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)210W (Tc)
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket10-PowerSO
Paket / FallPowerSO-10 Exposed Bottom Pad

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SIHD2N80AE-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

E

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.9Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

180pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

62.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-PAK (TO-252)

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRF8010PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 45A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

120nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3830pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

260W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

AON7264E

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

AlphaSGT™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

28A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

27.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-DFN-EP (3x3)

Paket / Fall

8-PowerVDFN

HUFA76629D3

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

UltraFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

52mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

46nC @ 10V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1285pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

110W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I-PAK

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

DMT2004UFDF-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

24V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

14.1A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.45V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

53.7nC @ 10V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1683pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

800mW (Ta), 12.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

U-DFN2020-6 (Type F)

Paket / Fall

6-UDFN Exposed Pad

Kürzlich verkauft

MCP1725T-3302E/MC

MCP1725T-3302E/MC

Microchip Technology

IC REG LINEAR 3.3V 500MA 8DFN

74HCT14D,653

74HCT14D,653

Nexperia

IC INVERTER SCHMITT 6CH 14SO

MAX232AEPE

MAX232AEPE

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16DIP

1N4937-E3/54

1N4937-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

ADM3251EARWZ

ADM3251EARWZ

Analog Devices

DGTL ISO 2.5KV 2CH RS232 20SOIC

ABM8G-25.000MHZ-18-D2Y-T

ABM8G-25.000MHZ-18-D2Y-T

Abracon

CRYSTAL 25.0000MHZ 18PF SMD

ADSP-21487KSWZ-4BB

ADSP-21487KSWZ-4BB

Analog Devices

DSP/DSC

MAX3387EEUG+T

MAX3387EEUG+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 3/3 24TSSOP

SI4214DDY-T1-GE3

SI4214DDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC

PMV65XP,215

PMV65XP,215

Nexperia

MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23

MAX1686HEUA+T

MAX1686HEUA+T

Maxim Integrated

IC REG CHARG PUMP SIM 1OUT 8UMAX

SI6968BEDQ-T1-GE3

SI6968BEDQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-TSSOP