STU6N60M2
Nur als Referenz
| Teilenummer | STU6N60M2 |
| PNEDA Teilenummer | STU6N60M2 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V IPAK |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 33.198 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
STU6N60M2 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | STU6N60M2 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- STU6N60M2 Datasheet
- where to find STU6N60M2
- STMicroelectronics
- STMicroelectronics STU6N60M2
- STU6N60M2 PDF Datasheet
- STU6N60M2 Stock
- STU6N60M2 Pinout
- Datasheet STU6N60M2
- STU6N60M2 Supplier
- STMicroelectronics Distributor
- STU6N60M2 Price
- STU6N60M2 Distributor
STU6N60M2 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | MDmesh™ II Plus |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4.5A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2.25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.5nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 232pF @ 100V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 60W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | I-PAK |
| Paket / Fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller STMicroelectronics Serie SuperFREDmesh™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 950mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1110pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 125W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220AB Paket / Fall TO-220-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 59A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 21A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1210pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 57W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-262 Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 54A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1060pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.8W (Ta), 71W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220AB Paket / Fall TO-220-3 |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Gen IV FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10.6A (Ta), 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V Vgs (Max) +16V, -20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.4W (Ta), 17.9W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerPAK® SC-70-6 Single Paket / Fall PowerPAK® SC-70-6 |
Hersteller ON Semiconductor Serie QFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 400V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.15Ohm @ 2.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 620pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D-Pak Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
