Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

STU3LN80K5

STU3LN80K5

Nur als Referenz

Teilenummer STU3LN80K5
PNEDA Teilenummer STU3LN80K5
Beschreibung MOSFET N-CHANNEL 800V 2A IPAK
Hersteller STMicroelectronics
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 27.192
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 20 - Mär 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STU3LN80K5 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTU3LN80K5
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STU3LN80K5, STU3LN80K5 Datenblatt (Total Pages: 24, Größe: 1.133,36 KB)
PDFSTP3N80K5 Datenblatt Cover
STP3N80K5 Datenblatt Seite 2 STP3N80K5 Datenblatt Seite 3 STP3N80K5 Datenblatt Seite 4 STP3N80K5 Datenblatt Seite 5 STP3N80K5 Datenblatt Seite 6 STP3N80K5 Datenblatt Seite 7 STP3N80K5 Datenblatt Seite 8 STP3N80K5 Datenblatt Seite 9 STP3N80K5 Datenblatt Seite 10 STP3N80K5 Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • STU3LN80K5 Datasheet
  • where to find STU3LN80K5
  • STMicroelectronics

  • STMicroelectronics STU3LN80K5
  • STU3LN80K5 PDF Datasheet
  • STU3LN80K5 Stock

  • STU3LN80K5 Pinout
  • Datasheet STU3LN80K5
  • STU3LN80K5 Supplier

  • STMicroelectronics Distributor
  • STU3LN80K5 Price
  • STU3LN80K5 Distributor

STU3LN80K5 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieMDmesh™ K5
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)800V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.25Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.63nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds102pF @ 100V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)45W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketIPAK (TO-251)
Paket / FallTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

DN3525N8-G

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

360mA (Tj)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

0V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6Ohm @ 200mA, 0V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 25V

FET-Funktion

Depletion Mode

Verlustleistung (max.)

1.6W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-243AA (SOT-89)

Paket / Fall

TO-243AA

PSMN5R5-60YS,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.2mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3501pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

130W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

LFPAK56, Power-SO8

Paket / Fall

SC-100, SOT-669

BSS138N E7854

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

230mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5Ohm @ 230mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.4nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

41pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

360mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

PSMN4R6-60PS,127

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70.8nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4426pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

211W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

IRLU014PBF

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200mOhm @ 4.6A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.4nC @ 5V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 25W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-251AA

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Kürzlich verkauft

FDMF6708N

FDMF6708N

ON Semiconductor

MODULE DRMOS 50A 40PQFN

1N5819HW-7-F

1N5819HW-7-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123

MAX13035EETE+

MAX13035EETE+

Maxim Integrated

IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 16TQFN

DG641DY

DG641DY

Vishay Siliconix

IC VIDEO SWITCH SPST 16SOIC

SMAJ5.0CA-13-F

SMAJ5.0CA-13-F

Diodes Incorporated

TVS DIODE 5V 9.2V SMA

SC2596SETRT

SC2596SETRT

Semtech

IC REG LDO DDR 1OUT 8SOIC

LE75181BBSC

LE75181BBSC

Microchip Technology

IC LINE CARD LCAS 1CH 16SOIC

SHT21

SHT21

Sensirion AG

SENSOR HUMID/TEMP 3V I2C 2% SMD

ZVP4424GTA

ZVP4424GTA

Diodes Incorporated

MOSFET P-CH 240V 0.48A SOT223

AD8051ARTZ-R2

AD8051ARTZ-R2

Analog Devices

IC OPAMP VFB 1 CIRCUIT SOT23-5

LM348DT

LM348DT

STMicroelectronics

IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14SO

LC4256V-75T176C

LC4256V-75T176C

Lattice Semiconductor Corporation

IC CPLD 256MC 7.5NS 176TQFP