STU2N62K3
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| Teilenummer | STU2N62K3 |
| PNEDA Teilenummer | STU2N62K3 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 620V 2.2A IPAK |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.572 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STU2N62K3 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STU2N62K3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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STU2N62K3 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | SuperMESH3™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 620V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2.2A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6Ohm @ 1.1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 340pF @ 50V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 45W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | I-PAK |
| Paket / Fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 104mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.9nC @ 4.5V Vgs (Max) ±9V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 175pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 800mW (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SC-70FL/MCPH3 Paket / Fall 3-SMD, Flat Leads |
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