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STTH8S06B-TR

STTH8S06B-TR

Nur als Referenz

Teilenummer STTH8S06B-TR
PNEDA Teilenummer STTH8S06B-TR
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 6.696
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STTH8S06B-TR Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTTH8S06B-TR
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
STTH8S06B-TR, STTH8S06B-TR Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 479,16 KB)
PDFSTTH8S06B-TR Datenblatt Cover
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STTH8S06B-TR Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieECOPACK®
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)600V
Current - Average Rectified (Io)8A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If3.4V @ 8A
GeschwindigkeitSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)18ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr20µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketDPAK
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle175°C (Max)

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Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

6A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 6A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

60pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

R-6

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

PMEG060V050EPDZ

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

560mV @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

17ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

400µA @ 60V

Kapazität @ Vr, F.

510pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-277, 3-PowerDFN

Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

600mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200µA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

VS-15EWL06FNTRR-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

FRED Pt®

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

220ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-PAK (TO-252AA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

NRVB1035G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

SWITCHMODE™

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

35V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

840mV @ 20A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 35V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-220-2

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

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