STTH806G-TR
Nur als Referenz
| Teilenummer | STTH806G-TR |
| PNEDA Teilenummer | STTH806G-TR |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.598 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 5 - Nov 10 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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STTH806G-TR Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STTH806G-TR |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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STTH806G-TR Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.85V @ 8A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 55ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 8µA @ 600V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | 175°C (Max) |
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Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Current - Average Rectified (Io) 1.2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 1.2A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 400V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOD-123H Lieferantengerätepaket SOD-123HE Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Current - Average Rectified (Io) 2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 35ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 400V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOD-128 Lieferantengerätepaket M-FLAT (2.4x3.8) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 50ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. 17pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-204AL, DO-41, Axial Lieferantengerätepaket DO-204AL (DO-41) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
