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STTH2L06

STTH2L06

Nur als Referenz

Teilenummer STTH2L06
PNEDA Teilenummer STTH2L06
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 2A DO41
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 84.012
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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STTH2L06 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTTH2L06
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
STTH2L06, STTH2L06 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 107,84 KB)
PDFSTTH2L06RL Datenblatt Cover
STTH2L06RL Datenblatt Seite 2 STTH2L06RL Datenblatt Seite 3 STTH2L06RL Datenblatt Seite 4 STTH2L06RL Datenblatt Seite 5 STTH2L06RL Datenblatt Seite 6 STTH2L06RL Datenblatt Seite 7 STTH2L06RL Datenblatt Seite 8 STTH2L06RL Datenblatt Seite 9

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STTH2L06 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)600V
Current - Average Rectified (Io)2A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.3V @ 2A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)85ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr2µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallDO-204AL, DO-41, Axial
LieferantengerätepaketDO-41
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle175°C (Max)

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Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

550mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AC, SMA

Lieferantengerätepaket

DO-214AC (SMA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 125°C

JAN1N6661US

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/587

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

225V

Current - Average Rectified (Io)

500mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 400mA

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50nA @ 225V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SQ-MELF, A

Lieferantengerätepaket

D-5A

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

CBS05F30(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

500mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

450mV @ 500mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

118pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

2-SMD, No Lead

Lieferantengerätepaket

CST2B

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

CRNB20-1200PT

Sensata-Crydom

Hersteller

Sensata-Crydom

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

12.7A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 20A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 125°C

NHPJ15S600G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

3.2V @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

60µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220FP

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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