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STTH200L04TV1

STTH200L04TV1

Nur als Referenz

Teilenummer STTH200L04TV1
PNEDA Teilenummer STTH200L04TV1
Beschreibung DIODE MODULE 400V 120A ISOTOP
Hersteller STMicroelectronics
Stückpreis
1 ---------- $232,8833
50 ---------- $221,9669
100 ---------- $211,0505
200 ---------- $200,1341
400 ---------- $191,0371
500 ---------- $181,9401
Auf Lager 2.825
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STTH200L04TV1 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTTH200L04TV1
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
STTH200L04TV1, STTH200L04TV1 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 158,32 KB)
PDFSTTH200L04TV1 Datenblatt Cover
STTH200L04TV1 Datenblatt Seite 2 STTH200L04TV1 Datenblatt Seite 3 STTH200L04TV1 Datenblatt Seite 4 STTH200L04TV1 Datenblatt Seite 5 STTH200L04TV1 Datenblatt Seite 6 STTH200L04TV1 Datenblatt Seite 7 STTH200L04TV1 Datenblatt Seite 8

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STTH200L04TV1 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
Diodenkonfiguration2 Independent
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)400V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)120A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.2V @ 100A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)100ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr100µA @ 400V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle150°C (Max)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallISOTOP
LieferantengerätepaketISOTOP®

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Serie

-

Diodenkonfiguration

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Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

80V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

400A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

880mV @ 200A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 20V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

Three Tower

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GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Anode

Diodentyp

Schottky, Reverse Polarity

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

400A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

840mV @ 200A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5mA @ 20V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Twin Tower

Lieferantengerätepaket

Twin Tower

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Series Connection

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

200mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 200mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100nA @ 175V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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SOT-23-3

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

4A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

950mV @ 4A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

18ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2µA @ 200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-277A (SMPC)

MURF30010R

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Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Anode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

150A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 150A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

25µA @ 100V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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