STTH10R04FP
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Teilenummer | STTH10R04FP |
PNEDA Teilenummer | STTH10R04FP |
Beschreibung | DIODE GEN PURP 400V 10A TO220FP |
Hersteller | STMicroelectronics |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 5.562 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STTH10R04FP Ressourcen
Marke | STMicroelectronics |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | STTH10R04FP |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
Datenblatt |
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STTH10R04FP Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics |
Serie | - |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 400V |
Current - Average Rectified (Io) | 10A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 10A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 40ns |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10µA @ 400V |
Kapazität @ Vr, F. | - |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-220-2 Full Pack |
Lieferantengerätepaket | TO-220FPAC |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | 175°C (Max) |
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Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 800V Current - Average Rectified (Io) 95A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 267A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AB, DO-5, Stud Lieferantengerätepaket DO-203AB (DO-5) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 180°C |
Nexperia Hersteller Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 10A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 850mV @ 10A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 14ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 1µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. 135pF @ 10V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-277, 3-PowerDFN Lieferantengerätepaket CFP15 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 175°C (Max) |
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 650V Current - Average Rectified (Io) 18A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.75V @ 10A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 200µA @ 650V Kapazität @ Vr, F. 575pF @ 1V, 100kHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket D-PAK (TO-252) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 150V Current - Average Rectified (Io) 2.5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 975mV @ 2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 25ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 2µA @ 150V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SQ-MELF, A Lieferantengerätepaket A-MELF Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 175°C (Max) |