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STTA806D

STTA806D

Nur als Referenz

Teilenummer STTA806D
PNEDA Teilenummer STTA806D
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 3.132
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STTA806D Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTTA806D
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
STTA806D, STTA806D Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 274,38 KB)
PDFSTTA806G-TR Datenblatt Cover
STTA806G-TR Datenblatt Seite 2 STTA806G-TR Datenblatt Seite 3 STTA806G-TR Datenblatt Seite 4 STTA806G-TR Datenblatt Seite 5 STTA806G-TR Datenblatt Seite 6 STTA806G-TR Datenblatt Seite 7 STTA806G-TR Datenblatt Seite 8 STTA806G-TR Datenblatt Seite 9

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STTA806D Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieTURBOSWITCH™
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)600V
Current - Average Rectified (Io)8A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.75V @ 8A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)52ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr100µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-2
LieferantengerätepaketTO-220AC
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle150°C (Max)

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Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

540mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

95pF @ 10V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-123W

Lieferantengerätepaket

SOD-123W

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

RF071MM2STR

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

700mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

850mV @ 700mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-123F

Lieferantengerätepaket

PMDU

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

ACDBAT340-HF

Comchip Technology

Hersteller

Comchip Technology

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

500mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

180pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

2010 (5025 Metric)

Lieferantengerätepaket

2010

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 125°C

SBR12A45SD1-T

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

SBR®

Diodentyp

Super Barrier

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

45V

Current - Average Rectified (Io)

12A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

480mV @ 12A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 45V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-201AD, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-201AD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

S1FLG-M-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

1.8µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

4pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-219AB

Lieferantengerätepaket

DO-219AB (SMF)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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