STSJ100NHS3LL
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| Teilenummer | STSJ100NHS3LL |
| PNEDA Teilenummer | STSJ100NHS3LL |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 20A PWR8SOIC |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.370 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STSJ100NHS3LL Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STSJ100NHS3LL |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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STSJ100NHS3LL Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | STripFET™ III |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 100A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4200pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 3W (Ta), 70W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC-EP |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.1A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7Ohm @ 3.25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 30V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2W (Ta), 37W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
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