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STS7PF30L

STS7PF30L

Nur als Referenz

Teilenummer STS7PF30L
PNEDA Teilenummer STS7PF30L
Beschreibung MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC
Hersteller STMicroelectronics
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STS7PF30L Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTS7PF30L
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STS7PF30L, STS7PF30L Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 135,06 KB)
PDFSTS7PF30L Datenblatt Cover
STS7PF30L Datenblatt Seite 2 STS7PF30L Datenblatt Seite 3 STS7PF30L Datenblatt Seite 4 STS7PF30L Datenblatt Seite 5 STS7PF30L Datenblatt Seite 6

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STS7PF30L Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieSTripFET™ II
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs21mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs38nC @ 4.5V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2600pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.5W (Tc)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket8-SO
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.25V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1465pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

490mW (Ta), 5.435W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-236AB

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SISS66DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

49.1A (Ta), 178.3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.38mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

85.5nC @ 10V

Vgs (Max)

+20V, -16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3327pF @ 15V

FET-Funktion

Schottky Diode (Body)

Verlustleistung (max.)

5.1W (Ta), 65.8W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® 1212-8S

Paket / Fall

PowerPAK® 1212-8S

STD16NF06LT4

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ II

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

24A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 5V

Vgs (Max)

±18V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

370pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

40W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DPAK

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

23.4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26.8mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1624pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

41.1W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

450V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

520mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

45W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

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Paket / Fall

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