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STS6PF30L

STS6PF30L

Nur als Referenz

Teilenummer STS6PF30L
PNEDA Teilenummer STS6PF30L
Beschreibung MOSFET P-CH 30V 6A 8-SOIC
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 8.604
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STS6PF30L Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTS6PF30L
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STS6PF30L, STS6PF30L Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 312,99 KB)
PDFSTS6PF30L Datenblatt Cover
STS6PF30L Datenblatt Seite 2 STS6PF30L Datenblatt Seite 3 STS6PF30L Datenblatt Seite 4 STS6PF30L Datenblatt Seite 5 STS6PF30L Datenblatt Seite 6 STS6PF30L Datenblatt Seite 7 STS6PF30L Datenblatt Seite 8

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STS6PF30L Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieSTripFET™
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs28nC @ 5V
Vgs (Max)±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1670pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.5W (Tc)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket8-SO
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

90V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

860mA (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

725mW (Ta), 6.25W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-39

Paket / Fall

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

STP6N120K3

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

SuperMESH3™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1050pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220

Paket / Fall

TO-220-3

N0412N-S19-AY

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.7mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5550pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.5W (Ta), 119W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220

Paket / Fall

TO-220-3

APT36N90BC3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

900V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

36A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 2.9mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

252nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7463pF @ 25V

FET-Funktion

Super Junction

Verlustleistung (max.)

390W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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Drain to Source Voltage (Vdss)

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Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 2.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 210µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

440pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

28W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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