Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

STS5NF60L

STS5NF60L

Nur als Referenz

Teilenummer STS5NF60L
PNEDA Teilenummer STS5NF60L
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 5A 8-SOIC
Hersteller STMicroelectronics
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 47.742
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 6 - Jan 11 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STS5NF60L Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTS5NF60L
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STS5NF60L, STS5NF60L Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 303,19 KB)
PDFSTS5NF60L Datenblatt Cover
STS5NF60L Datenblatt Seite 2 STS5NF60L Datenblatt Seite 3 STS5NF60L Datenblatt Seite 4 STS5NF60L Datenblatt Seite 5 STS5NF60L Datenblatt Seite 6 STS5NF60L Datenblatt Seite 7 STS5NF60L Datenblatt Seite 8 STS5NF60L Datenblatt Seite 9 STS5NF60L Datenblatt Seite 10 STS5NF60L Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • STS5NF60L Datasheet
  • where to find STS5NF60L
  • STMicroelectronics

  • STMicroelectronics STS5NF60L
  • STS5NF60L PDF Datasheet
  • STS5NF60L Stock

  • STS5NF60L Pinout
  • Datasheet STS5NF60L
  • STS5NF60L Supplier

  • STMicroelectronics Distributor
  • STS5NF60L Price
  • STS5NF60L Distributor

STS5NF60L Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieSTripFET™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs55mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 5V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1250pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.5W (Tc)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket8-SO
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

RSF015N06TL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

290mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2nC @ 5V

Vgs (Max)

20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

110pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

800mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TUMT3

Paket / Fall

3-SMD, Flat Leads

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

45A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

103W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

FQPF3N60

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.6Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

450pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

34W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220F

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

TK14A65W5,S5X

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

DTMOSIV

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

13.7A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 690µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 300V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

40W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220SIS

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

SCT2120AFC

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

SiCFET (Silicon Carbide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

29A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

18V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

156mOhm @ 10A, 18V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 3.3mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

61nC @ 18V

Vgs (Max)

+22V, -6V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 500V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

165W (Tc)

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

Kürzlich verkauft

ADM1184ARMZ-REEL7

ADM1184ARMZ-REEL7

Analog Devices

IC VOLT MONITOR/SEQ 4CH 10MSOP

ACPL-M21L-500E

ACPL-M21L-500E

Broadcom

OPTOISO 3.75KV PUSH PULL 5SO

GCM1885C1H6R8BA16D

GCM1885C1H6R8BA16D

Murata

CAP CER 6.8PF 50V C0G/NP0 0603

BC239C

BC239C

ON Semiconductor

TRANS NPN 25V 0.1A TO-92

93LC46C-I/SN

93LC46C-I/SN

Microchip Technology

IC EEPROM 1K SPI 3MHZ 8SOIC

IRF7853PBF

IRF7853PBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC

MCP73862T-I/SL

MCP73862T-I/SL

Microchip Technology

IC LI-ION CTRLR 8.2/8.4V 16SOIC

ATSAM3X8EA-AU

ATSAM3X8EA-AU

Microchip Technology

IC MCU 32BIT 512KB FLASH 144LQFP

REF192GS

REF192GS

Analog Devices

IC VREF SERIES 2.5V 8SOIC

USB2642-I/ML

USB2642-I/ML

Microchip Technology

IC FLASH MEDIA CTLR USB2 48VQFN

AD5934YRSZ

AD5934YRSZ

Analog Devices

IC DDS 16.776MHZ 12BIT 16SSOP

ADF4113BRU

ADF4113BRU

Analog Devices

IC SYNTH PLL RF 4.0GHZ 16-TSSOP