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STS5DNF20V

STS5DNF20V

Nur als Referenz

Teilenummer STS5DNF20V
PNEDA Teilenummer STS5DNF20V
Beschreibung MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-SOIC
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 7.884
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 16 - Feb 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STS5DNF20V Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTS5DNF20V
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
STS5DNF20V, STS5DNF20V Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 606,11 KB)
PDFSTS5DNF20V Datenblatt Cover
STS5DNF20V Datenblatt Seite 2 STS5DNF20V Datenblatt Seite 3 STS5DNF20V Datenblatt Seite 4 STS5DNF20V Datenblatt Seite 5 STS5DNF20V Datenblatt Seite 6 STS5DNF20V Datenblatt Seite 7 STS5DNF20V Datenblatt Seite 8 STS5DNF20V Datenblatt Seite 9 STS5DNF20V Datenblatt Seite 10 STS5DNF20V Datenblatt Seite 11

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STS5DNF20V Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieSTripFET™ II
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id600mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds460pF @ 25V
Leistung - max2W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

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FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A, 9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

48nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1310pF @ 10V

Leistung - max

3.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8 Dual

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Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

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FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

50V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

160mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.35nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

36pF @ 25V

Leistung - max

445mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

6-TSSOP

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

140pF @ 15V

Leistung - max

640mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.4A, 3.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36mOhm @ 5.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

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TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

39mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

625pF @ 20V

Leistung - max

3.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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