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STS25NH3LL

STS25NH3LL

Nur als Referenz

Teilenummer STS25NH3LL
PNEDA Teilenummer STS25NH3LL
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 25A 8-SOIC
Hersteller STMicroelectronics
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STS25NH3LL Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTS25NH3LL
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STS25NH3LL, STS25NH3LL Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 313,05 KB)
PDFSTS25NH3LL-E Datenblatt Cover
STS25NH3LL-E Datenblatt Seite 2 STS25NH3LL-E Datenblatt Seite 3 STS25NH3LL-E Datenblatt Seite 4 STS25NH3LL-E Datenblatt Seite 5 STS25NH3LL-E Datenblatt Seite 6 STS25NH3LL-E Datenblatt Seite 7 STS25NH3LL-E Datenblatt Seite 8 STS25NH3LL-E Datenblatt Seite 9 STS25NH3LL-E Datenblatt Seite 10 STS25NH3LL-E Datenblatt Seite 11

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STS25NH3LL Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieSTripFET™ III
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.25A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40nC @ 4.5V
Vgs (Max)±18V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds4450pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)3.2W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket8-SO
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

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FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

58mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.3nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

990pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

PMV30UN2R

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.2A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

32mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

655pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

490mW (Ta), 5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.1A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 6.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

59nC @ 10V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2085pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.9W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-MLP, MicroFET (3x1.9)

Paket / Fall

8-PowerWDFN

SIR426DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1160pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

4.8W (Ta), 41.7W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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PowerPAK® SO-8

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Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

47mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1193pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.3W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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