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STPS61L45CW

STPS61L45CW

Nur als Referenz

Teilenummer STPS61L45CW
PNEDA Teilenummer STPS61L45CW
Beschreibung DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO247-3
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 8.676
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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STPS61L45CW Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTPS61L45CW
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
STPS61L45CW, STPS61L45CW Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 113,17 KB)
PDFSTPS61L45CT Datenblatt Cover
STPS61L45CT Datenblatt Seite 2 STPS61L45CT Datenblatt Seite 3 STPS61L45CT Datenblatt Seite 4 STPS61L45CT Datenblatt Seite 5 STPS61L45CT Datenblatt Seite 6 STPS61L45CT Datenblatt Seite 7 STPS61L45CT Datenblatt Seite 8

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STPS61L45CW Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
Diodenkonfiguration1 Pair Common Cathode
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)45V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)30A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If560mV @ 30A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr1.5mA @ 45V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle150°C (Max)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247-3

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

150V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.43V @ 20A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

250µA @ 150V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

GDP24D060B

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Hersteller

Global Power Technologies Group

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Anode

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

12A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 12A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 600V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 135°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Hersteller

IXYS

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Anode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

2200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

883A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

880mV @ 500A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

18µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50mA @ 2200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

VBT1045C-E3/8W

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

TMBS®

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

45V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

580mV @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 45V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB

MBR60035CTRL

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Anode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

35V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

300A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

600mV @ 300A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

3mA @ 35V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Twin Tower

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