Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

STP60N3LH5

STP60N3LH5

Nur als Referenz

Teilenummer STP60N3LH5
PNEDA Teilenummer STP60N3LH5
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 48A TO-220
Hersteller STMicroelectronics
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 8.550
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 6 - Jan 11 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STP60N3LH5 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTP60N3LH5
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STP60N3LH5, STP60N3LH5 Datenblatt (Total Pages: 21, Größe: 747,43 KB)
PDFSTP60N3LH5 Datenblatt Cover
STP60N3LH5 Datenblatt Seite 2 STP60N3LH5 Datenblatt Seite 3 STP60N3LH5 Datenblatt Seite 4 STP60N3LH5 Datenblatt Seite 5 STP60N3LH5 Datenblatt Seite 6 STP60N3LH5 Datenblatt Seite 7 STP60N3LH5 Datenblatt Seite 8 STP60N3LH5 Datenblatt Seite 9 STP60N3LH5 Datenblatt Seite 10 STP60N3LH5 Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • STP60N3LH5 Datasheet
  • where to find STP60N3LH5
  • STMicroelectronics

  • STMicroelectronics STP60N3LH5
  • STP60N3LH5 PDF Datasheet
  • STP60N3LH5 Stock

  • STP60N3LH5 Pinout
  • Datasheet STP60N3LH5
  • STP60N3LH5 Supplier

  • STMicroelectronics Distributor
  • STP60N3LH5 Price
  • STP60N3LH5 Distributor

STP60N3LH5 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieSTripFET™ V
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.48A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.4mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.8nC @ 5V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1350pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)60W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220AB
Paket / FallTO-220-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10.3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.2nC @ 5V

Vgs (Max)

±15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

33W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STD8NM50N

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ II

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

790mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

364pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

45W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DPAK

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRF1104STRL

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

93nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2900pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.4W (Ta), 170W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

DMP2035UFDF-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8.1A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 6.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20.5nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1808pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.03W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

U-DFN2020-6 (Type F)

Paket / Fall

6-UDFN Exposed Pad

RJK1557DPA-00#J0

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

25A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

58mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1250pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

30W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-WPAK

Paket / Fall

8-PowerWDFN

Kürzlich verkauft

ADUM1250ARZ

ADUM1250ARZ

Analog Devices

DGTL ISO 2.5KV 2CH I2C 8SOIC

BC239C

BC239C

ON Semiconductor

TRANS NPN 25V 0.1A TO-92

ATXMEGA16A4U-AU

ATXMEGA16A4U-AU

Microchip Technology

IC MCU 8/16BIT 16KB FLASH 44TQFP

MAX5056BASA+

MAX5056BASA+

Maxim Integrated

IC MOSFET DRVR DUAL 8-SOIC

REF196GSZ

REF196GSZ

Analog Devices

IC VREF SERIES 3.3V 8SOIC

F55J25R

F55J25R

Ohmite

RES CHAS MNT 25 OHM 5% 55W

DS1305EN+T&R

DS1305EN+T&R

Maxim Integrated

IC RTC CLK/CALENDAR SPI 20-TSSOP

REF192GS

REF192GS

Analog Devices

IC VREF SERIES 2.5V 8SOIC

ADP125ARHZ-R7

ADP125ARHZ-R7

Analog Devices

IC REG LIN POS ADJ 500MA 8MSOP

ADP7182AUJZ-5.0-R7

ADP7182AUJZ-5.0-R7

Analog Devices

IC REG LINEAR -5V 200MA 5TSOT

ADP2384ACPZN-R7

ADP2384ACPZN-R7

Analog Devices

IC REG BUCK ADJ 4A 24LFCSP

IRFR5410TRRPBF

IRFR5410TRRPBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 100V 13A DPAK