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STP5NK60ZFP

STP5NK60ZFP

Nur als Referenz

Teilenummer STP5NK60ZFP
PNEDA Teilenummer STP5NK60ZFP
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 5A TO-220FP
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 3.996
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 30 - Jan 4 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STP5NK60ZFP Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTP5NK60ZFP
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STP5NK60ZFP, STP5NK60ZFP Datenblatt (Total Pages: 24, Größe: 578,35 KB)
PDFSTP5NK60ZFP Datenblatt Cover
STP5NK60ZFP Datenblatt Seite 2 STP5NK60ZFP Datenblatt Seite 3 STP5NK60ZFP Datenblatt Seite 4 STP5NK60ZFP Datenblatt Seite 5 STP5NK60ZFP Datenblatt Seite 6 STP5NK60ZFP Datenblatt Seite 7 STP5NK60ZFP Datenblatt Seite 8 STP5NK60ZFP Datenblatt Seite 9 STP5NK60ZFP Datenblatt Seite 10 STP5NK60ZFP Datenblatt Seite 11

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STP5NK60ZFP Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieSuperMESH™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.6Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds690pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)25W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220FP
Paket / FallTO-220-3 Full Pack

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

52A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 25A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2400pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

116W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

FJ4B01120L1

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.6A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

51mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 2mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.7nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

814pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

370mW (Ta)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

ULGA004-W-1010-RA01

Paket / Fall

4-XFLGA, CSP

SPD30N03S2L10T

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41.8nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1550pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

100W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SPP02N80C3XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.7Ohm @ 1.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 120µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

42W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

Paket / Fall

TO-220-3

IRFH8324TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

23A (Ta), 90A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.1mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.35V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2380pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.6W (Ta), 54W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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