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STP3NK60Z

STP3NK60Z

Nur als Referenz

Teilenummer STP3NK60Z
PNEDA Teilenummer STP3NK60Z
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-220
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 62.178
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STP3NK60Z Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTP3NK60Z
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STP3NK60Z, STP3NK60Z Datenblatt (Total Pages: 34, Größe: 932,16 KB)
PDFSTB3NK60ZT4 Datenblatt Cover
STB3NK60ZT4 Datenblatt Seite 2 STB3NK60ZT4 Datenblatt Seite 3 STB3NK60ZT4 Datenblatt Seite 4 STB3NK60ZT4 Datenblatt Seite 5 STB3NK60ZT4 Datenblatt Seite 6 STB3NK60ZT4 Datenblatt Seite 7 STB3NK60ZT4 Datenblatt Seite 8 STB3NK60ZT4 Datenblatt Seite 9 STB3NK60ZT4 Datenblatt Seite 10 STB3NK60ZT4 Datenblatt Seite 11

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STP3NK60Z Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieSuperMESH™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.8nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds311pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)45W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220AB
Paket / FallTO-220-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchPLUS

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

75A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.1mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

83nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6808pF @ 25V

FET-Funktion

Temperature Sensing Diode

Verlustleistung (max.)

272W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-5

Paket / Fall

TO-220-5

NVBLS0D7N04M8TXG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

240A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.75mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

188nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

12000pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

357W (Tj)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-HPSOF

Paket / Fall

8-PowerSFN

ECH8601M-C-TL-HX

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-ECH

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

TSM024NA04LCR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

170A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

67nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4224pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

125W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-PDFN (5x6)

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1050pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

200W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Kürzlich verkauft

CDSOD323-T24C

CDSOD323-T24C

Bourns

TVS DIODE 24V 56V SOD323

0467.750NR

0467.750NR

Littelfuse

FUSE BOARD MOUNT 750MA 32VAC/VDC

1N5618

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LM2901DR

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M50100TB1600

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ADM1184ARMZ-REEL7

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IC VOLT MONITOR/SEQ 4CH 10MSOP

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Diodes Incorporated

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IC VREF SERIES 3.3V 8SOIC

ADG201AKNZ

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IC SWITCH QUAD SPST 16DIP

AD780ARZ-REEL7

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IC VREF SERIES/SHUNT PROG 8SOIC

SLF12575T-470M2R7-PF

SLF12575T-470M2R7-PF

TDK

FIXED IND 47UH 2.7A 52.8 MOHM