STP35N60DM2
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Teilenummer | STP35N60DM2 |
PNEDA Teilenummer | STP35N60DM2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 28A |
Hersteller | STMicroelectronics |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 8.622 |
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STP35N60DM2 Ressourcen
Marke | STMicroelectronics |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | STP35N60DM2 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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STP35N60DM2 Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics |
Serie | MDmesh™ DM2 |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 28A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 14A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 210W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-220 |
Paket / Fall | TO-220-3 |
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