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STP26NM60N

STP26NM60N

Nur als Referenz

Teilenummer STP26NM60N
PNEDA Teilenummer STP26NM60N
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 21.894
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STP26NM60N Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTP26NM60N
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STP26NM60N, STP26NM60N Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 1.039,51 KB)
PDFSTB26NM60N Datenblatt Cover
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STP26NM60N Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieMDmesh™ II
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs165mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs60nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1800pF @ 50V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)140W (Tc)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220AB
Paket / FallTO-220-3

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STW45N65M5

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ V

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

35A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

78mOhm @ 19.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

91nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3375pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

210W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247

Paket / Fall

TO-247-3

DMN2004WK-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

540mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

550mOhm @ 540mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 16V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

200mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-323

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

TPH4R50ANH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVIII-H

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

60A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

58nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5200pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.6W (Ta), 78W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SOP Advance (5x5)

Paket / Fall

8-PowerVDFN

SFH9240

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

59nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1585pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

126W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-3P

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

IRLI520NPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8.1A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 5V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

440pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

30W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB Full-Pak

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Kürzlich verkauft

CKR05BX104KR

CKR05BX104KR

CAP CER 0.1UF 50V BX RADIAL

EPM3256ATI144-10

EPM3256ATI144-10

Intel

IC CPLD 256MC 10NS 144TQFP

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IC REG LINEAR 3.3V 300MA SOT23-5

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Linear Technology/Analog Devices

IC SURGE STOPPER W/DIODE SMD

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Micron Technology Inc.

IC FLASH 2G SPI 133MHZ 24TPBGA