STP21N65M5
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Teilenummer | STP21N65M5 |
PNEDA Teilenummer | STP21N65M5 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 17A TO-220 |
Hersteller | STMicroelectronics |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 34.074 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STP21N65M5 Ressourcen
Marke | STMicroelectronics |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | STP21N65M5 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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STP21N65M5 Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics |
Serie | MDmesh™ V |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 17A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 8.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1950pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 125W (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
Paket / Fall | TO-220-3 |
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ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 58A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 18.2mOhm @ 58A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3500pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 167W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D2PAK Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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