Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

STL57N65M5

STL57N65M5

Nur als Referenz

Teilenummer STL57N65M5
PNEDA Teilenummer STL57N65M5
Beschreibung MOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT
Hersteller STMicroelectronics
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.906
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 12 - Feb 17 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STL57N65M5 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTL57N65M5
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STL57N65M5, STL57N65M5 Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 932,23 KB)
PDFSTL57N65M5 Datenblatt Cover
STL57N65M5 Datenblatt Seite 2 STL57N65M5 Datenblatt Seite 3 STL57N65M5 Datenblatt Seite 4 STL57N65M5 Datenblatt Seite 5 STL57N65M5 Datenblatt Seite 6 STL57N65M5 Datenblatt Seite 7 STL57N65M5 Datenblatt Seite 8 STL57N65M5 Datenblatt Seite 9 STL57N65M5 Datenblatt Seite 10 STL57N65M5 Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • STL57N65M5 Datasheet
  • where to find STL57N65M5
  • STMicroelectronics

  • STMicroelectronics STL57N65M5
  • STL57N65M5 PDF Datasheet
  • STL57N65M5 Stock

  • STL57N65M5 Pinout
  • Datasheet STL57N65M5
  • STL57N65M5 Supplier

  • STMicroelectronics Distributor
  • STL57N65M5 Price
  • STL57N65M5 Distributor

STL57N65M5 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieMDmesh™ V
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.3A (Ta), 22.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs69mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs110nC @ 10V
Vgs (Max)±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds4200pF @ 100V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.8W (Ta), 189W (Tc)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketPowerFlat™ (8x8) HV
Paket / Fall8-PowerVDFN

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

APT1204R7BFLLG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.7Ohm @ 1.75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

715pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

135W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

Paket / Fall

TO-247-3

SI1032R-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

140mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.75nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±6V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

250mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SC-75A

Paket / Fall

SC-75A

2SJ360(TE12L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

730mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

155pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

500mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PW-MINI

Paket / Fall

TO-243AA

STS5PF30L

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 5V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1350pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

DMN2320UFB4-7B

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

320mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.89nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

71pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

520mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

X2-DFN1006-3

Paket / Fall

3-XFDFN

Kürzlich verkauft

LV8727-E

LV8727-E

ON Semiconductor

IC MTR DRVR BIPOLAR 0V-5V 25HZIP

MAX3162EAI

MAX3162EAI

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 28SSOP

744232161

744232161

Wurth Electronics

CMC 340MA 2LN 160 OHM SMD

S3A-13-F

S3A-13-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 50V 3A SMC

NCN8025AMNTXG

NCN8025AMNTXG

ON Semiconductor

IC SMART CARD IC2 24-QFN

ISD2360SYI

ISD2360SYI

Nuvoton Technology

IC VOICE REC/PLAY 64SEC 16SOP

BA00DD0WHFP-TR

BA00DD0WHFP-TR

Rohm Semiconductor

IC REG LINEAR POS ADJ 2A HRP5

TAJC107M016RNJ

TAJC107M016RNJ

CAP TANT 100UF 20% 16V 2312

TL1014BF160QG

TL1014BF160QG

E-Switch

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 12V

EPC2045ENGRT

EPC2045ENGRT

EPC

GANFET TRANS 100V BUMPED DIE

MPC8306SVMADDCA

MPC8306SVMADDCA

NXP

IC MPU MPC83XX 266MHZ 369BGA

BAT54AWT1G

BAT54AWT1G

ON Semiconductor

DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT323