STL19N60DM2
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| Teilenummer | STL19N60DM2 |
| PNEDA Teilenummer | STL19N60DM2 |
| Beschreibung | N-CHANNEL 600 V, 0.28 OHM TYP., |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.902 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STL19N60DM2 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STL19N60DM2 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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STL19N60DM2 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | MDmesh™ DM2 |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 11A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320mOhm @ 5.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 90W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PowerFlat™ (8x8) HV |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.8mOhm @ 19.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 135nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6900pF @ 30V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 5.4W (Ta), 96W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Paket / Fall PowerPAK® SO-8 |
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