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STK17TA8-RF45ITR

STK17TA8-RF45ITR

Nur als Referenz

Teilenummer STK17TA8-RF45ITR
PNEDA Teilenummer STK17TA8-RF45ITR
Beschreibung IC NVSRAM 1M PARALLEL 48SSOP
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 8.514
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 1 - Mai 6 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STK17TA8-RF45ITR Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTK17TA8-RF45ITR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
STK17TA8-RF45ITR, STK17TA8-RF45ITR Datenblatt (Total Pages: 24, Größe: 1.227,16 KB)
PDFSTK17TA8-RF45I Datenblatt Cover
STK17TA8-RF45I Datenblatt Seite 2 STK17TA8-RF45I Datenblatt Seite 3 STK17TA8-RF45I Datenblatt Seite 4 STK17TA8-RF45I Datenblatt Seite 5 STK17TA8-RF45I Datenblatt Seite 6 STK17TA8-RF45I Datenblatt Seite 7 STK17TA8-RF45I Datenblatt Seite 8 STK17TA8-RF45I Datenblatt Seite 9 STK17TA8-RF45I Datenblatt Seite 10 STK17TA8-RF45I Datenblatt Seite 11

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STK17TA8-RF45ITR Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatNVSRAM
TechnologieNVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Speichergröße1Mb (128K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite45ns
Zugriffszeit45ns
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall48-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)
Lieferantengerätepaket48-SSOP

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IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

4Mb (256K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFBGA

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

100ns

Zugriffszeit

100ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

DRAM

Speichergröße

288Mb (32M x 9)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ns

Zugriffszeit

10ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

Lieferantengerätepaket

28-TSOP I

IS43LR16160F-6BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR

Speichergröße

256Mb (16M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

5.5ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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