STH410N4F7-2AG
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| Teilenummer | STH410N4F7-2AG |
| PNEDA Teilenummer | STH410N4F7-2AG |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 40V H2PAK-2 |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
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STH410N4F7-2AG Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STH410N4F7-2AG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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STH410N4F7-2AG Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 200A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1mOhm @ 90A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 141nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 11500pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 365W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | H2Pak-2 |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 300mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7Ohm @ 300mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 34µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.79nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 55pF @ 30V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 360W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PG-SOT23-3-5 Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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