STGW40H120DF2
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| Teilenummer | STGW40H120DF2 |
| PNEDA Teilenummer | STGW40H120DF2 |
| Beschreibung | IGBT 1200V 40A HS TO-247 |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 114 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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STGW40H120DF2 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGW40H120DF2 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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STGW40H120DF2 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 160A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 40A |
| Leistung - max | 468W |
| Schaltenergie | 1mJ (on), 1.32mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 187nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 18ns/152ns |
| Testbedingung | 600V, 40A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 488ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 23A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 92A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 12A Leistung - max 100W Schaltenergie 115µJ (on), 135µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 49nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 17ns/60ns Testbedingung 300V, 12A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 60ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 45A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 25A Leistung - max 200W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 25A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 7A Leistung - max 80W Schaltenergie 82µJ (on), 155µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 34.4nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 22.5ns/116ns Testbedingung 390V, 7A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket DPAK |
Hersteller IXYS Serie XPT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 2500V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 29A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 70A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 4V @ 15V, 8A Leistung - max 280W Schaltenergie 2.6mJ (on), 1.07mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 45nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 11ns/180ns Testbedingung 1250V, 8A, 15Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 5ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 400V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) 130A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 8V @ 4.5V, 130A Leistung - max 45W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket D-Pak |
