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STGP3NB60KD

STGP3NB60KD

Nur als Referenz

Teilenummer STGP3NB60KD
PNEDA Teilenummer STGP3NB60KD
Beschreibung IGBT 600V 10A 50W TO220
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 5.418
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 3 - Feb 8 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STGP3NB60KD Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGP3NB60KD
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGP3NB60KD, STGP3NB60KD Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 267,94 KB)
PDFSTGP3NB60KD Datenblatt Cover
STGP3NB60KD Datenblatt Seite 2 STGP3NB60KD Datenblatt Seite 3 STGP3NB60KD Datenblatt Seite 4 STGP3NB60KD Datenblatt Seite 5 STGP3NB60KD Datenblatt Seite 6 STGP3NB60KD Datenblatt Seite 7 STGP3NB60KD Datenblatt Seite 8 STGP3NB60KD Datenblatt Seite 9 STGP3NB60KD Datenblatt Seite 10 STGP3NB60KD Datenblatt Seite 11

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STGP3NB60KD Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SeriePowerMESH™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)10A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)24A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.8V @ 15V, 3A
Leistung - max50W
Schaltenergie30µJ (on), 58µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge14nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.14ns/33ns
Testbedingung480V, 3A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)45ns
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220AB

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

140A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 20A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

105nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

1.35µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

IRG4BC30K

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

28A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

58A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 16A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

360µJ (on), 510µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

67nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/130ns

Testbedingung

480V, 16A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 50A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

170nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/160ns

Testbedingung

400V, 50A, 3.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 30A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

200µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

95nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/90ns

Testbedingung

400V, 30A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

SGW20N60FKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 20A

Leistung - max

179W

Schaltenergie

440µJ (on), 330µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

36ns/225ns

Testbedingung

400V, 20A, 16Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

Kürzlich verkauft

MMBTA42LT3G

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ON Semiconductor

TRANS NPN 300V 0.5A SOT-23

AD7795BRUZ

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Analog Devices

IC ADC 16BIT SIGMA-DELTA 24TSSOP

SMCJ48CA

SMCJ48CA

Taiwan Semiconductor Corporation

TVS DIODE 48V 77.4V SMC

FDS6910

FDS6910

ON Semiconductor

MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC

ADA4940-2ACPZ-R7

ADA4940-2ACPZ-R7

Analog Devices

IC OPAMP DIFF 2 CIRCUIT 24LFCSP

DF6A6.8FUT1G

DF6A6.8FUT1G

ON Semiconductor

TVS DIODE 5V SC88

IRFR7440PBF

IRFR7440PBF

Infineon Technologies

MOSFET N CH 40V 90A DPAK

MIC2025-1YM

MIC2025-1YM

Microchip Technology

IC SW DISTRIBUTION 1CHAN 8SOIC

NC7WZ00K8X

NC7WZ00K8X

ON Semiconductor

IC GATE NAND 2CH 2-INP US8

AD820BRZ

AD820BRZ

Analog Devices

IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOIC

ADM2484EBRWZ

ADM2484EBRWZ

Analog Devices

DGTL ISO 5KV RS422/RS485 16SOIC

W25Q64DWSSIG

W25Q64DWSSIG

Winbond Electronics

IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIC