STGP3NB60KD
Nur als Referenz
| Teilenummer | STGP3NB60KD |
| PNEDA Teilenummer | STGP3NB60KD |
| Beschreibung | IGBT 600V 10A 50W TO220 |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.418 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STGP3NB60KD Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGP3NB60KD |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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STGP3NB60KD Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | PowerMESH™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 10A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 24A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 3A |
| Leistung - max | 50W |
| Schaltenergie | 30µJ (on), 58µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 14nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 14ns/33ns |
| Testbedingung | 480V, 3A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 45ns |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
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Hersteller IXYS Serie BIMOSFET™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 3000V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 140A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 20A Leistung - max 250W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 105nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) 1.35µs Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Lieferantengerätepaket TO-268 |
