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STGP3NB60FD

STGP3NB60FD

Nur als Referenz

Teilenummer STGP3NB60FD
PNEDA Teilenummer STGP3NB60FD
Beschreibung IGBT 600V 6A 68W TO220
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 5.688
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STGP3NB60FD Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGP3NB60FD
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGP3NB60FD, STGP3NB60FD Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 757,86 KB)
PDFSTGP3NB60F Datenblatt Cover
STGP3NB60F Datenblatt Seite 2 STGP3NB60F Datenblatt Seite 3 STGP3NB60F Datenblatt Seite 4 STGP3NB60F Datenblatt Seite 5 STGP3NB60F Datenblatt Seite 6 STGP3NB60F Datenblatt Seite 7 STGP3NB60F Datenblatt Seite 8 STGP3NB60F Datenblatt Seite 9 STGP3NB60F Datenblatt Seite 10 STGP3NB60F Datenblatt Seite 11

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STGP3NB60FD Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SeriePowerMESH™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)6A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)24A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 3A
Leistung - max68W
Schaltenergie125µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge16nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.12.5ns/105ns
Testbedingung480V, 3A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)45ns
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220AB

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

57A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

114A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 33A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

1.8mJ (on), 19.6mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

251nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

32ns/845ns

Testbedingung

960V, 33A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

RJH60A83RDPN-E0#T2

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

150ns

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

IRG7PH35UD-EP

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 20A

Leistung - max

180W

Schaltenergie

1.06mJ (on), 620µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

85nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/160ns

Testbedingung

600V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

105ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

105A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

430µJ (on), 350µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

30nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/80ns

Testbedingung

400V, 20A, 20Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

135ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

APT50GP60BG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

190A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 50A

Leistung - max

625W

Schaltenergie

465µJ (on), 637µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

165nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/83ns

Testbedingung

400V, 50A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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