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STGP10NB60S

STGP10NB60S

Nur als Referenz

Teilenummer STGP10NB60S
PNEDA Teilenummer STGP10NB60S
Beschreibung IGBT 600V 29A 80W TO220
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 14.580
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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STGP10NB60S Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGP10NB60S
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGP10NB60S, STGP10NB60S Datenblatt (Total Pages: 19, Größe: 603,56 KB)
PDFSTGB10NB60ST4 Datenblatt Cover
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STGP10NB60S Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SeriePowerMESH™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)29A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.75V @ 15V, 10A
Leistung - max80W
Schaltenergie600µJ (on), 5mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge33nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.700ns/1.2µs
Testbedingung480V, 10A, 1kOhm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220AB

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

330V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.65V @ 15V, 24A

Leistung - max

114W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

46nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

24ns/89ns

Testbedingung

196V, 12A, 10Ohm

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

STGB8NC60KDT4

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.75V @ 15V, 3A

Leistung - max

65W

Schaltenergie

55µJ (on), 85µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/72ns

Testbedingung

390V, 3A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

23.5ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

IRGS4630DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

47A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

54A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 18A

Leistung - max

206W

Schaltenergie

95µJ (on), 350µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

35nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/105ns

Testbedingung

400V, 18A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

500A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 90A

Leistung - max

660W

Schaltenergie

1.32mJ (on), 1.37mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

172nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31ns/150ns

Testbedingung

480V, 60A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

92A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 30A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

540µJ (on), 800µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

80nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/125ns

Testbedingung

400V, 30A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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