STGF30H60DF
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| Teilenummer | STGF30H60DF |
| PNEDA Teilenummer | STGF30H60DF |
| Beschreibung | IGBT 600V 60A 37W TO220FP |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.328 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STGF30H60DF Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGF30H60DF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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STGF30H60DF Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 60A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 30A |
| Leistung - max | 37W |
| Schaltenergie | 350µJ (on), 400µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 105nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 50ns/160ns |
| Testbedingung | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 110ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
| Lieferantengerätepaket | TO-220FP |
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Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 10A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 10A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 5A Leistung - max 75W Schaltenergie 2.59mJ (on), 9mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. 690ns/12.1µs Testbedingung 960V, 5A, 1kOhm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Lieferantengerätepaket I-PAK |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 45A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 15A Leistung - max 240W Schaltenergie 270µJ (on), 250µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 90nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 13ns/160ns Testbedingung 400V, 15A, 15Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket PG-TO252-3-313 |
Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 12A Leistung - max 150W Schaltenergie 160µJ (on), 120µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 24nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 18ns/73ns Testbedingung 400V, 12A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 30ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXGH) |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 2500V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 110A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 580A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 75A Leistung - max 430W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 410nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall ISOPLUSi5-Pak™ Lieferantengerätepaket ISOPLUSi5-Pak™ |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 280A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 20A Leistung - max 290W Schaltenergie 105µJ (on), 150µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 142nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/73ns Testbedingung 390V, 20A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263AB |
