STGB6M65DF2
Nur als Referenz
| Teilenummer | STGB6M65DF2 |
| PNEDA Teilenummer | STGB6M65DF2 |
| Beschreibung | IGBT TRENCH 650V 12A D2PAK |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.082 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 17 - Mär 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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STGB6M65DF2 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGB6M65DF2 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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STGB6M65DF2 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | M |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 12A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 24A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 6A |
| Leistung - max | 88W |
| Schaltenergie | 36µJ (on), 200µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 21.2nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 15ns/90ns |
| Testbedingung | 400V, 6A, 22Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 140ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 85A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 60A Leistung - max 350W Schaltenergie 3.26mJ (on), 2.27mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 340nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 90ns/245ns Testbedingung 480V, 60A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 82ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-274AA Lieferantengerätepaket SUPER-247™ (TO-274AA) |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 12A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 6A Leistung - max 77W Schaltenergie 56µJ (on), 122µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 19.5nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/75ns Testbedingung 400V, 6A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 74ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D²PAK |
Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 30A Leistung - max 300W Schaltenergie 200µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 95nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 18ns/90ns Testbedingung 400V, 30A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXGH) |
