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STG3P2M10N60B

STG3P2M10N60B

Nur als Referenz

Teilenummer STG3P2M10N60B
PNEDA Teilenummer STG3P2M10N60B
Beschreibung IGBT N-CHAN 600V 19A SEMITOP2
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 2.556
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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STG3P2M10N60B Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTG3P2M10N60B
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
STG3P2M10N60B, STG3P2M10N60B Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 445,3 KB)
PDFSTG3P2M10N60B Datenblatt Cover
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STG3P2M10N60B Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieSEMITOP®
IGBT-Typ-
KonfigurationThree Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)19A
Leistung - max56W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 7A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)10µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce0.72nF @ 25V
EingabeSingle Phase Bridge Rectifier
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSEMITOP®2
LieferantengerätepaketSEMITOP®2

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-

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Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Leistung - max

890W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

22nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

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Microsemi

Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Level Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Leistung - max

90W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.6nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SP1

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Leistung - max

208W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 25A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.65nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

FMG1G75US60H

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Leistung - max

310W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

7.056nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

7PM-GA

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IXYS

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NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Leistung - max

130W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.3V @ 15V, 25A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

900µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

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