STFW3N150
Nur als Referenz
| Teilenummer | STFW3N150 |
| PNEDA Teilenummer | STFW3N150 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3PF |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 14.562 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STFW3N150 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STFW3N150 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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STFW3N150 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | PowerMESH™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1500V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2.5A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9Ohm @ 1.3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29.3nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 939pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 63W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | ISOWATT-218FX |
| Paket / Fall | ISOWATT218FX |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 240V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 200mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 3.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 9Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) ±40V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 200pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 750mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket E-Line (TO-92 compatible) Paket / Fall E-Line-3 |
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