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STFI11N60M2-EP

STFI11N60M2-EP

Nur als Referenz

Teilenummer STFI11N60M2-EP
PNEDA Teilenummer STFI11N60M2-EP
Beschreibung MOSFET N-CH 600V I2PAK-FP
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 8.352
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 23 - Dez 28 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STFI11N60M2-EP Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTFI11N60M2-EP
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STFI11N60M2-EP, STFI11N60M2-EP Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 299,32 KB)
PDFSTFI11N60M2-EP Datenblatt Cover
STFI11N60M2-EP Datenblatt Seite 2 STFI11N60M2-EP Datenblatt Seite 3 STFI11N60M2-EP Datenblatt Seite 4 STFI11N60M2-EP Datenblatt Seite 5 STFI11N60M2-EP Datenblatt Seite 6 STFI11N60M2-EP Datenblatt Seite 7 STFI11N60M2-EP Datenblatt Seite 8 STFI11N60M2-EP Datenblatt Seite 9 STFI11N60M2-EP Datenblatt Seite 10 STFI11N60M2-EP Datenblatt Seite 11

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STFI11N60M2-EP Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie*
FET-Typ-
Technologie-
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)-
Betriebstemperatur-
Montagetyp-
Lieferantengerätepaket-
Paket / Fall-

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

STD85N10F7AG

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

Automotive, AEC-Q101, STripFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

70A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3100pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

85W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DPAK

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IXTY12N06T

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

TrenchMV™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.4nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

256pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

33W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FMD21-05QC

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

21A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

220mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

95nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS i4-PAC™

Paket / Fall

i4-Pac™-5

SQM110N05-06L_GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

110A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4440pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

157W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263 (D2Pak)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

DMP3017SFK-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10.4A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

90nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4414pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

U-DFN2523-6

Paket / Fall

6-PowerUDFN

Kürzlich verkauft

BLM31PG601SN1L

BLM31PG601SN1L

Murata

FERRITE BEAD 600 OHM 1206 1LN

SMBJ5.0CA-13-F

SMBJ5.0CA-13-F

Diodes Incorporated

TVS DIODE 5V 9.2V SMB

ADG1404YRUZ

ADG1404YRUZ

Analog Devices

IC MULTIPLEXER 4X1 14TSSOP

MMSZ4699T1G

MMSZ4699T1G

ON Semiconductor

DIODE ZENER 12V 500MW SOD123

U6264BDC07LLG1

U6264BDC07LLG1

Alliance Memory, Inc.

IC SRAM 64K PARALLEL 28DIP

TNY278PN

TNY278PN

Power Integrations

IC OFFLINE SWIT OVP OTP HV 8DIP

AT45DB161D-SU

AT45DB161D-SU

Adesto Technologies

IC FLASH 16M SPI 66MHZ 8SOIC

AD7606BSTZ

AD7606BSTZ

Analog Devices

IC DAS/ADC 16BIT 200K 64LQFP

C0805C334J4RACTU

C0805C334J4RACTU

KEMET

CAP CER 0.33UF 16V X7R 0805

DLW5BSN191SQ2L

DLW5BSN191SQ2L

Murata

CMC 5A 2LN 190 OHM SMD

AD780ARZ-REEL7

AD780ARZ-REEL7

Analog Devices

IC VREF SERIES/SHUNT PROG 8SOIC

SMBJ36A-13-F

SMBJ36A-13-F

Diodes Incorporated

TVS DIODE 36V 58.1V SMB