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STF9NM60N

STF9NM60N

Nur als Referenz

Teilenummer STF9NM60N
PNEDA Teilenummer STF9NM60N
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220FP
Hersteller STMicroelectronics
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STF9NM60N Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTF9NM60N
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STF9NM60N, STF9NM60N Datenblatt (Total Pages: 24, Größe: 587,79 KB)
PDFSTD9NM60N Datenblatt Cover
STD9NM60N Datenblatt Seite 2 STD9NM60N Datenblatt Seite 3 STD9NM60N Datenblatt Seite 4 STD9NM60N Datenblatt Seite 5 STD9NM60N Datenblatt Seite 6 STD9NM60N Datenblatt Seite 7 STD9NM60N Datenblatt Seite 8 STD9NM60N Datenblatt Seite 9 STD9NM60N Datenblatt Seite 10 STD9NM60N Datenblatt Seite 11

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STF9NM60N Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieMDmesh™ II
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs745mOhm @ 3.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17.4nC @ 10V
Vgs (Max)±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds452pF @ 50V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)25W (Tc)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220FP
Paket / FallTO-220-3 Full Pack

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SIR668ADP-T1-RE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

93.6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

7.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

81nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3750pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

104W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8

PHP79NQ08LT,127

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

75V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

73A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 5V

Vgs (Max)

±15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3026pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

157W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

IPN80R3K3P7ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ P7

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3Ohm @ 590mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 30µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.8nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

120pF @ 500V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

6.1W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-SOT223

Paket / Fall

TO-261-3

STT5PF20V

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ II

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

450mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.5nC @ 2.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

412pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.6W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23-6

Paket / Fall

SOT-23-6

DMN3032LE-13

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.6A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.3nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

498pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.8W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-223

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

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