STF7N90K5
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| Teilenummer | STF7N90K5 |
| PNEDA Teilenummer | STF7N90K5 |
| Beschreibung | N-CHANNEL 800 V, 0.5 OHM TYP., 7 |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.056 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STF7N90K5 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STF7N90K5 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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STF7N90K5 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | MDmesh™ K5 |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 7A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 110W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220FP |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.25W (Ta), 20W (Tc) Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket DPAK Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5mOhm @ 8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 4.5V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 782pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.8W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 6-DFN-EP (2x2) Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad |
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