STF13N80K5
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Teilenummer | STF13N80K5 |
PNEDA Teilenummer | STF13N80K5 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 12A TO-220FP |
Hersteller | STMicroelectronics |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 36.594 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STF13N80K5 Ressourcen
Marke | STMicroelectronics |
ECAD Module |
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Mfr. Artikelnummer | STF13N80K5 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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STF13N80K5 Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics |
Serie | SuperMESH5™ |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 12A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 870pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 35W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-220FP |
Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
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