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STE50DE100

STE50DE100

Nur als Referenz

Teilenummer STE50DE100
PNEDA Teilenummer STE50DE100
Beschreibung TRANS NPN 1000V 50A ISOTOP
Hersteller STMicroelectronics
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STE50DE100 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTE50DE100
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
STE50DE100, STE50DE100 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 322,26 KB)
PDFSTE50DE100 Datenblatt Cover
STE50DE100 Datenblatt Seite 2 STE50DE100 Datenblatt Seite 3 STE50DE100 Datenblatt Seite 4 STE50DE100 Datenblatt Seite 5 STE50DE100 Datenblatt Seite 6 STE50DE100 Datenblatt Seite 7 STE50DE100 Datenblatt Seite 8 STE50DE100 Datenblatt Seite 9 STE50DE100 Datenblatt Seite 10 STE50DE100 Datenblatt Seite 11

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STE50DE100 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
TransistortypNPN - Emitter Switched Bipolar
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1000V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic-
Strom - Kollektorabschaltung (max.)-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce-
Leistung - max400W
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallISOTOP
LieferantengerätepaketISOTOP®

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

220 @ 2mA, 5V

Leistung - max

250mW

Frequenz - Übergang

250MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

PG-SOT323-3

BD243-S

Bourns

Hersteller

Bourns Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 1A, 6A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

700µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

15 @ 3A, 4V

Leistung - max

2W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220

FJAF6808DYDTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

750V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

5V @ 1.2A, 5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

4.5 @ 5A, 5V

Leistung - max

50W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-3PF

2SC4115STPQ

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 2A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 100mA, 2V

Leistung - max

400mW

Frequenz - Übergang

290MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

SC-72 Formed Leads

Lieferantengerätepaket

SPT

BCW61AMTF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

32V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

550mV @ 1.25mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

20nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 5V

Leistung - max

350mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

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