Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

STDV3055L104T4G

STDV3055L104T4G

Nur als Referenz

Teilenummer STDV3055L104T4G
PNEDA Teilenummer STDV3055L104T4G
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 23.424
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 11 - Apr 16 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STDV3055L104T4G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTDV3055L104T4G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STDV3055L104T4G, STDV3055L104T4G Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 147,02 KB)
PDFNTDV3055L104-1G Datenblatt Cover
NTDV3055L104-1G Datenblatt Seite 2 NTDV3055L104-1G Datenblatt Seite 3 NTDV3055L104-1G Datenblatt Seite 4 NTDV3055L104-1G Datenblatt Seite 5 NTDV3055L104-1G Datenblatt Seite 6 NTDV3055L104-1G Datenblatt Seite 7 NTDV3055L104-1G Datenblatt Seite 8 NTDV3055L104-1G Datenblatt Seite 9 NTDV3055L104-1G Datenblatt Seite 10

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • STDV3055L104T4G Datasheet
  • where to find STDV3055L104T4G
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor STDV3055L104T4G
  • STDV3055L104T4G PDF Datasheet
  • STDV3055L104T4G Stock

  • STDV3055L104T4G Pinout
  • Datasheet STDV3055L104T4G
  • STDV3055L104T4G Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • STDV3055L104T4G Price
  • STDV3055L104T4G Distributor

STDV3055L104T4G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.12A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs104mOhm @ 6A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 5V
Vgs (Max)±15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds440pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)1.5W (Ta), 48W (Tj)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketDPAK
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IPC50N04S55R8ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

50A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

7V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.8mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.4V @ 13µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1090pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

42W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TDSON-8-33

Paket / Fall

8-PowerTDFN

FQPF19N10L

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

13.6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 6.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

870pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

38W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220F

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

SPI08N80C3

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

650mOhm @ 5.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 470µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

104W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO262-3

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

TK13A55DA(STA4,QM)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

π-MOSVII

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

550V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

480mOhm @ 6.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

45W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220SIS

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

AO3400

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.8A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.45V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

630pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.4W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Kürzlich verkauft

ECLB40W-24S05

ECLB40W-24S05

Cincon Electronics Co. LTD

ISOLATED DC/DC CONVERTERS 49.5-6

SI1865DDL-T1-GE3

SI1865DDL-T1-GE3

Vishay Siliconix

IC LOAD SW LVL SHIFT SC70-6

749022015

749022015

Wurth Electronics

TRANSFORMER LAN 10/100/1000 SMD

ACS723LLCTR-05AB-T

ACS723LLCTR-05AB-T

Allegro MicroSystems, LLC

SENSOR CURRENT HALL 5A AC/DC

MIC29302WU

MIC29302WU

Microchip Technology

IC REG LINEAR POS ADJ 3A TO263-5

MAX485ESA+T

MAX485ESA+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SOIC

BC807-16-7-F

BC807-16-7-F

Diodes Incorporated

TRANS PNP 45V 0.5A SOT-23

MAX881REUB+

MAX881REUB+

Maxim Integrated

IC REG CHARGE PUMP 1OUT 10UMAX

NAU7802SGI

NAU7802SGI

Nuvoton Technology

IC ADC 24BIT SIGMA-DELTA 16SOP

0402N471F500CT

0402N471F500CT

Walsin Technology

CAP CER 470PF 50V C0G/NP0 0402

NFM21CC102R1H3D

NFM21CC102R1H3D

Murata

CAP FEEDTHRU 1000PF 20% 50V 0805

MT41K256M16HA-125 IT:E

MT41K256M16HA-125 IT:E

Micron Technology Inc.

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA